-
用于優化ESD RF前端設計的SEED方法（第3部分）
通常，系統設計人員使用反復試驗的方法來添加 ESD 保護。那是否存在負面影響呢？僅使用組件級 ESD 規范不足以實現穩健的系統設計。我們的目標是預測最終手機設計的 ESD 性能，以創建一個提供 ESD 保護的萬無一失、一次性過關的系統設計。
2021-10-26
ESD RF前端設計 SEED方法
-
常見9大功放電路
作為一名硬件工程師，特別是做純粹模擬電路、應用于音頻功放的工程師，對于A類、B類、AB類、D類、G類、H類、T類功放應該特別熟悉。大多數工程師或許只知道其中的一小部分、或者知道大概，為了讓更多的工程師掌握更加詳盡的音頻功放知識，下文對以上說的音頻功放做詳細的說明。
2021-10-26
功放電路
-
如何選擇倍壓整流電路電容？
倍壓整流電路的實質是電荷泵。在一些需用高電壓、小電流的地方，常常使用倍壓整流電路。倍壓整流，可以把較低的交流電壓，用耐壓較低的整流二極管和電容器，“整”出一個較高的直流電壓。倍壓整流電路一般按輸出電壓是輸入電壓的多少倍，分為二倍壓、三倍壓與多倍壓整流電路。
2021-10-24
倍壓整流電路 電容
-
【2021年10月產業新訊】存儲行業市場動向早知道
近期，拉閘限電成為社會各界熱議話題，在“能耗雙控”政策下，多地企業遭遇限電停產，其中不乏半導體產業鏈相關企業。存儲行業下半年迎來消費電子需求旺季，本就面臨芯片缺貨問題，廠商再遭遇限電停產可謂雪上加霜。
2021-10-21
存儲 威剛工控
-
為什么高速信號ESD設置要flow-through
目前的芯片工藝越來越精密，主IC都到納米級別了，具有極薄光刻技術和極易受到 ESD 影響的柵極氧化物的先進技術，所以IC的防靜電能力主要是保護自身在生產運輸和安裝過程中不受損壞。
2021-10-21
高速信號 ESD設置 flow-through
-
【技術大咖測試筆記系列】之八：低功率范圍內的MOSFET表征
半導體行業一直在尋找新型特殊材料、介電解決方案和新型器件形狀，以進一步、再進一步縮小器件尺寸。例如，2D材料的橫向和縱向異質結構導致了新的顛覆性小型低功率電子器件的產生。
2021-10-20
低功率 MOSFET 泰克科技
-
一款基于ARM控制的逆變器電源電路設計方案
本設計以 ARM 作為控制核心，結合推挽升壓電路和 SPWM 逆變電路，實現了將12VDC 輸入電壓轉換為110VAC 交流正弦電壓輸出。實驗表明，該逆變器具有電壓紋波小、動態響應高和全數字等特點，能夠滿足實際需要。
2021-10-20
ARM控制 逆變器電源 電路設計
-
650V 60mΩ SiC MOSFET高溫性能測試對比，國產器件重載時溫度更低
650V 60mΩ SiC MOSFET主要應用市場包括光伏和儲能、驅動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據HIS報告，電動汽車充電市場的增長將非常強勁，高達59%。
2021-10-20
SiC MOSFET高 PoE 智能樓宇 國產器件
-
USB Type-C接口EMC設計及過壓防護方案
依托巨大的市場發展，智能手機在原有的通訊功能基礎上，正體現出其強大的功能擴展性。同時其高功耗也對智能手機的續航能力提出越來越高的要求。2014 年，Type-C 伴隨著最新的USB3.1 標準橫空出世，這類全新的接口形式，憑借其便捷的正反面拔插，大功率的供電，快速的傳輸速率等功能得到廣泛認可。但...
2021-10-20
USB Type-C EMC 過壓防護
- 采樣保持放大器
- 通過輸出MOSFET的寄生二極管進行電流再生時的功耗
- 國產霍爾電流傳感器化解新能源車缺芯燃眉之急
- 應用于高速數據采集系統的超低抖動時鐘電路
- 基于模型的GAN PA設計基礎知識：GAN晶體管S參數、線性穩定性分析與電阻穩定性
- 加快部署5G基站的最佳實踐：RF前端大規模MIMO入門
- 變頻器輸出電壓存在毛刺，居然是電纜的問題！
- 由編碼器控制的電位計
- 如何將CoolMOS應用于連續導通模式的圖騰柱功率因數校正電路
- 用于優化ESD RF前端設計的SEED方法（第3部分）
- 車規與基于V2X的車輛協同主動避撞技術展望
- 數字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
