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用于優化ESD RF前端設計的SEED方法（第3部分）
通常，系統設計人員使用反復試驗的方法來添加 ESD 保護。那是否存在負面影響呢？僅使用組件級 ESD 規范不足以實現穩健的系統設計。我們的目標是預測最終手機設計的 ESD 性能，以創建一個提供 ESD 保護的萬無一失、一次性過關的系統設計。
2021-10-26
ESD RF前端設計 SEED方法
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關于4G/5G智能手機天線調諧的4點須知
天線效率在智能手機的整體 RF 性能中發揮著至關重要的作用。然而，當前的智能手機工業設計趨勢和 RF 需求（尤其是即將過渡至 5G），意味著智能手機必須要將更多的天線安裝到更小的空間內，并且/或者提高現有天線的帶寬。
2021-10-26
4G/5G 智能手機 天線調諧
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總線隔離方案之儲能行業篇
眾所周知，實現“碳中和”的關鍵在于轉換能源結構，提升非化石能源的發電比例，因此新能源與儲能成為重要發展方向，ZLG致遠電子基于二十年開關電源與總線隔離技術，推出成熟的儲能電池BMS系統解決方案。
2021-10-26
總線隔離 方案 儲能
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IGBT7與IGBT4在伺服驅動器中的對比測試
IGBT7作為英飛凌最新一代IGBT技術平臺，它與IGBT4的性能對比一直是工程師關心的問題。本文通過FP35R12W2T4與 FP35R12W2T7在同一平臺伺服驅動中的測試，得到了相同工況下IGBT4與IGBT7的結溫對比。實驗結果表明，在連續大功率負載工況與慣量盤負載工況的對比測試中，IGBT7的結溫均低于IGBT4。
2021-10-26
IGBT7 伺服驅動器 對比測試
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在單個封裝中提供完整的有源功率因數校正解決方案
電源設計者如今面臨兩個主要問題：消除有害的輸入諧波電流和確保功率因數盡可能地接近于1。有害的諧波電流會導致傳輸設備過熱，并帶來后續必須解決的干擾難題；這兩者也會對電路的尺寸和/或效率產生不利影響。
2021-10-26
封裝 有源功率因數
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利用氮化鎵芯片組實現高效率、超緊湊的反激式電源
目前市面上出現了一個新的芯片組，它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級側開關的反激式IC方案與創新的高頻有源鉗位方案組合而成，能夠為手機、平板電腦和筆記本電腦設計出額定功率高達110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來自Power Integrations，包含內部集成PowiGaN?開關的InnoSwitch?4-CZ零電壓開關(...
2021-10-26
氮化鎵芯片組 反激式電源
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Pure Storage連續8年蟬聯Gartner“主存儲魔力象限”領導者地位
2021年10月26日，中國——專為多云環境提供存儲即服務的全球IT先鋒Pure Storage（NYSE:PSTG）宣布該公司在Gartner? “主存儲魔力象限”（Magic Quadrant? for Primary Storage）報告中再度榮登領導者象限。這是Pure Storage連續8年在Gartner魔力象限報告中獲此殊榮，同時也是Pure連續2年在“遠見完整性”...
2021-10-26
Pure Storage Gartner 存儲
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